1.中国三大存储器厂商建厂神速，明年上半年迎“装机大战”；

 集微网消息，SEMI（国际半导体产业协会）“全球晶圆厂预测”最新报告指出，2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建，并将于2018年开始装机。2018年中国晶圆设备支出总金额将逾100亿美元，成长超过55%，全年支出金额位居全球第二。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资，支出金额达67亿美元。展望2018年，SEMI预估中国将有49座晶圆厂有设备投资，支出金额约100亿美元。

目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段，预计2018上半年陆续进入设备安装阶段，新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

武汉：长江存储

2016年7月26日，长江存储科技有限责任公司正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。注册地位于武汉东湖开发区关东科技工业园的长江存储，公司注册资本189亿元。

2016年12月30日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元，主要生产存储器芯片，总占地面积1968亩。

这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

目前，长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。预计2018年实现量产，并于2019年实现产能满载。

长江存储(2017.6)

今年6月，长江存储的厂址区域正在加速打桩工作中。预计2018年4月将实现设备安装，第一阶段每月的产能大约在50,000片，大规模生产的产品将是长江存储64层的3D NAND产品。

相信，2018年第一家具有中国自主知识产权的 3D NAND 即将诞生。如果说2017年是东芝的天下，2018年必将在中国存储器行业划下浓重的一笔。

合肥长鑫

总投资额达72亿美元的合肥长鑫12寸存储晶圆厂，以生产 19nm DRAM 产品为主，预计2019年底将实现达 12.5万片的月产能。

合肥长鑫(2017.6)

据悉，该厂的生产设备安装时间预计在2018年第一季度，目前已开始与晶圆供应商进行商谈，以确保 2018 年内获得稳定的晶圆供应。在晶圆厂建设完成之后，月产能预计将高达 12.5 万片，其规模将与韩国 SK Hynix 现在的产能差不多，比福建晋华的存储器产能更高，仅次于紫光在武汉的 12 寸晶圆厂月产能 20 万片的规模。

据了解，长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员，构成陆日台的存储器研发团队，预定2017年人才储备达到千人规模、2018年上看2,000人。

目前可见，合肥长鑫的施工速度要比长江存储的速度快一些，厂房正在加速建设中，预计9月完成。从产品的原型设计，到试量产仍需要一年多的时间，加上产能的提升，预计2019年2月才能实现大规模量产，2019年底有望实现12.5万片的月产能。

福建晋华存储项目

目前进度最快的是福建晋华存储器生产线项目，在近6万平方米的施工现场，钢筋密度最大、施工难度最高、用工量最繁复的主厂房，正进行钢结构吊装，目前也已完成一半的工程量，最快今（2017）年10月，主厂房将顺利封顶。

据悉，今年4月~6月晋华已计划推出R＆D迷你产线，以实现每月 5000 片的产能，无论从产品进度和施工作业来看，晋华存储器项目的速度都是最快。

晋华集成电路(2017.4)

福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华公司)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资的集成电路生产企业，是中国国家基金积极布局的战略项目。

目前一期总投资370亿元，已纳入国家十三五集成电路重大项目清单，并得到第一笔 30 亿元国家专项资金支持，将通过引进台湾和全球技术、人才、资源，打造中国第一个自主技术的内存制造项目及 12 吋晶圆厂，争取 3-5 年内在国内主板上市。

2016年5月联电宣布与晋华集成电路公司签约合作，由联电负责开发DRAM制程相关技术。福建省晋华12寸新厂初期将导入32纳米制程，预期在2018年9月开始试产，投入DRAM及相关产品的研发生产与销售，预计2019年到2020年期间将月产能扩大至3万片。

中芯国际、华力微、淮安德科码纷纷建厂

2016年10月，中芯国际投资近百亿美元在上海开启新的12寸集成电路生产线，可覆盖14nm至10/7nm工艺节点，满产后规模可达每月7万片，供应给新一代移动通讯和智能终端机领域。其天津8寸厂开启了扩建项目，目前月产能在4.5万片，预计全部达产后中芯天津月产能将达15万片8英寸晶圆。在深圳中芯国际也将启动一条12寸产线，定位主流成熟技术，预计2017年底投产，预期产能将达每月4万片晶圆。

华力微二期(2017.6)

2016年11月，华力微二期12寸新生产线建设项目正式启动，将在浦东新区康桥工业区南区建设一条月产能4万片，工艺为28-20-14纳米的12英寸集成电路芯片生产线，主要从事逻辑芯片生产，重点服务国内设计企业先进芯片的制造需求。该项目预计2018年底完成工艺串线、试生产，形成 1 万片生产能力，2022年前实现达产。

2017年6月，淮安德科码开启12英吋半导体芯片晶圆厂项目，总投资150亿元，一期为年产24万片，预计9月开始生产设备的安装。

2.精耕安全市场，展讯创新方案助力公共安全；

集微网消息，在智能互联的时代，信息变得越来越透明，行业、企业、政务以及公众对信息安全的意识越来越强烈。

作为国内领先的芯片设计企业，展讯在其产品创新中始终关注信息安全，致力通过创新科技助力公共安全。近日，展讯在第五届中国指挥控制大会上分享了其创新的安全产品。

全新定义的安全手机解决方案

展讯全新定义的安全手机，搭载自主可控安全芯片，支持可信计算STEE安全级别的安全应用处理器，代码安全认证的安全启动模块，符合国际和中国标准加解密算法的加密模块，实现语音/数据加密通信的安全通讯处理器，以及敏感数据特殊区域存储的存储加密。 该安全手机具备生物识别、安全通信、设备管理、硬件加密、北斗定位、安全与开放相融合六大特色，真正实现了从硬件、周边附件、芯片物理层、底层基础软件到上层应用软件安全可信，自主可控的目的。

同时展讯携手中国银联打造的“金融+”国产金融全终端统一解决方案，可帮助用户实现更安全可靠的移动支付，便捷的同时，安全性更高。

安全领先的数字对讲机

展讯推出的全芯片数字集群解决方案SC8810, 是最完整的数字窄带集群芯片解决方案，高度集成基带、射频、多媒体、蓝牙等功能模块，并支持第三方声码技术，高度还原人声。

相比普通模拟机，展讯的数字DMR方案可实现保密通话、可管可控、持久续航，覆盖更多用户。其穿墙能力及绕射能力等通信质量比肩业界标杆。不久之后展讯还将推出业界领先的宽窄融合一体芯片方案，同时支持窄带+宽带、1.4/1.8G专网+公网，加速集群通信进入视频时代，刷新执法新利器。

展讯T-Box 提升车辆安全等级

展讯T-Box解决方案SL8521, 具备全方位的呼叫功能，E-Call紧急呼叫，B-Cal 车辆故障呼叫以及I-CALL需要信号呼叫一应俱全；它还可实现远程控制及实时数据采集功能，实时掌握车辆的动态和信息；同时通过高精度的定位，掌握车辆的实时位置。

高精度Tracker 牢牢锁定关键人/物

展讯的Tracker方案通过高精度的GPS、北斗定位，可安全、快捷、弹性地连接云端。高精度+低功耗的组合，牢牢锁定关键的人与物。

3.复旦微拿下GlobalFoundries 22nm工艺中国第一单；

据台湾媒体报道，AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries(经常被戏称为AMD女友)近日迎来好消息，上海复旦微电子已经下单采纳其22nm FD-SOI工艺(22FDX)。这也是GF 22nm工艺第一次赢得中国客户的订单。

上海复旦微电子集团股份有限公司(曾用名上海复旦微电子股份有限公司)是国内从事超大规模集成电路的设计、开发和提供系统解决方案的专业公司，1998年7月由复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室、上海商业投资公司和一批梦想创建中国最好集成电路设计公司的创业者共同出资创建，2000年8月4日在香港创业板上市，成为国内集成电路设计行业第一家上市企业，2001年被香港著名《亚洲金融》杂志评选为大陆十佳企业之一。

据悉，上海复旦微电子将使用GF 22nm工艺制造人工智能、大数据用处理器，预计2018年下半年投入使用。

在此之前，上海复旦已经和GF在智能卡IC领域达成了合作。

GF 22FDX工艺宣布于2015年，特别针对快速发展的主流移动、IoT物联网、RF射频和网络市场，可提供比肩FinFET技术的性能，能效则媲美28nm工艺，而且成本更低。

联发科也看会采纳GF 22FDX工艺，但不是用来造手机芯片，而是IoT相关。

另外，GF最近还和成都政府达成合作，将投资超过1亿美元，在中国建设FD-SOI技术生态，并吸引了Cadence、Synopsys、Invecas、Verisilicon、Encore Semi等半导体企业的参与。 快科技

4.示范性微电子学院建设工作推进会在晋江召开；

    昨日， 2017年示范性微电子学院建设工作推进会在晋江召开。北京大学、清华大学、中国科学院大学、复旦大学、上海交通大学、东南大学、浙江大学、电子科技大学、西安电子科技大学等国内26所支持(筹备)建设示范性微电子学院的院校专家齐聚晋江。

    来自教育部高教司、工信部人才交流中心、示范性微电子学院建设专家组、示范性微电子学院建设与筹建高校、中国半导体行业协会、省教育厅、省电子信息集团的领导、专家，集成电路企业代表等参加会议。泉州、晋江市领导吕刚、张文贤、庄天怀参加相关活动。

    据悉，示范性微电子学院建设工作推进会旨在考察示范性微电子学院建设和筹建情况，推动集成电路领域人才培养与地方产业发展需求深度融合。

    泉州市副市长吕刚在致辞中表示，示范性微电子学院是国内最优秀的集成电路人才培养品牌和摇篮，集聚了全国最顶尖的集成电路产业高端人才和科研创新资源，此次推进会的举办，为泉州市提供了集聚集成电路高端智慧经验、深化与优质高校资源合作交流的重大机遇。希望各位领导、专家慷慨相助，为集成电路产业的发展多提宝贵意见。

    晋江市市长张文贤在致辞中表示，人才是集成电路产业最核心的资源，晋江用待遇留人、事业留人、环境留人、政策留人、感情留人，以最大的诚意、最优厚的保障广纳全球集成电路英才。希望各位学界专家，深入交流分享集成电路人才培养经验，对晋江市发展集成电路多提宝贵意见和建议，引导教学科研团队到晋江开展科研合作、人才交流。

    会上，参会高校还分组交流了各自在建设示范性微电子学院方面的经验，就集成电路人才培育、产学研合作方式等议题进行充分研讨。半导体行业协会代表和福建省晋华集成电路有限公司、Synopsys公司代表分别作相关发言。

    “对晋江来说，发展集成电路新兴产业是超常规的举动，更需要有集成电路人才的有力支撑。”示范性微电子学院建设专家组组长、示范性微电子学院产学融合发展联盟秘书长严晓浪认为，集成电路产业是需要创新驱动的产业，没有人才的保障就无法发展，“晋江举办这次会议大大拉近了与国内高校的距离，带来产学融合的机会。”

    晋江集成电路产业园区筹备工作组相关负责人表示，示范性微电子学院是经国家确认的、我国最优秀的集成电路人才培养基地，集聚了我国最顶尖集成电路人才和科研资源。此次推进会在晋江举行，将进一步打开晋江市集成电路人才工作局面。

    本次推进会由教育部高等教育司指导，示范性微电子学院建设专家组、示范性微电子学院产学融合发展联盟主办，晋江市人民政府承办，福州大学及福建省集成电路产业园区建设筹备工作组共同协办。 晋江新闻网                    

5.套路≠出路,低价不应成为国产半导体设备的基因；

在极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项(简称“集成电路专项”)以及其他国家相关产业政策的推动下，近年来我国半导体设备产业取得较快进步，部分关键设备从无到有，实现了与国际先进技术水平的同步发展。同时，部分国产设备进入大生产线，在产业化进程上取得突破。在此情况下，如何让产品在推向市场的过程中获得合理的利润，以利持续发展，成为国产设备厂商关注的重点。

半导体设备国产化率提升存挑战

中国半导体行业要想实现从跟随到引领的跨越，设备产业的成长是重要环节之一。但是半导体设备行业却存在技术难度大，进入门槛高的特点。目前为止，我国半导体设备领域仍然存在着国产化率较低的问题。

对此，半导体专家莫大康指出，上世纪80年代末期开始，半导体设备企业开始把工艺能力整合在设备中，让用户买到设备就能保证使用，并且达到工艺要求。因此有“一代器件，一代设备”之说。这是半导体设备如此昂贵的原因，也是国内企业面对的极大挑战。

此外，一台设备从研发、样机开始，必须经过大量硅片通过等工艺试验，才能发现问题，并进行改型。这样的过程要重复多次，改型多次后才能最后定型。另外，出厂前还要经过马拉松试验，测算平均无故障时间等。

这对实力尚弱的国产设备厂商来说，也是一个巨大的挑战。

SEMI中国区总裁居龙也表示：“目前中国设备正在取得从0到1的突破，但是要认识到这一进程的长期性。”

《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出了明确要求：在2020年之前，90～32纳米工艺设备国产化率达到50%，实现90纳米光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20～14纳米工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。

“集成电路专项”加速产业整体布局

尽管存在挑战，经过多年来的不断培育，特别是在国家“02专项”等政策的扶持下，国产半导体设备产业还是取得了一定进步。日前，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”成果发布会。在过去的九年里，集成电路专项对中国半导体设备产业整体布局，既有全面填空，又有重点突破。

根据成果发布，北方华创通过近九年的科技攻关，完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现了产业化。公司的刻蚀机等三大类集成电路设备进入14纳米工艺验证阶段，首次实现与国外设备同步验证。在集成电路专项的支持下，12英寸集成电路设备实现从无到有，并实现批量销售，成为公司的主要收入来源之一。中微半导体先后承担并圆满完成65～45纳米、32～22纳米、22～14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的集成电路专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同步。中微半导体已经有460多个介质刻蚀反应台在海内外27条生产线上高质稳定地生产了4000多万片晶圆。

根据中科院微电子所所长叶甜春的介绍，在关键装备和材料方面，我国实现了从无到有的跨越，大部分产品水平达到28纳米，部分产品进入14纳米，被国外生产线采用;国产设备验证和应用整体累积流片突破150万片，销售数量超过265台。从工艺分布上看，国产设备横跨了12英寸集成电路生产线90～14纳米各个技术节点的关键性工艺大类，并基本与国内14nm先进工艺研发同步进行验证。

用产品差异化取代低价竞争

在产业化进程取得一定突破的情况下，如何让发展来之不易的国产半导体设备业得到持续发展，逐渐成为国产设备业关注的重点。

其中，最核心的一个问题就是产品的价格问题。目前，国内半导体设备厂商存在低价竞争的状况，一些用户企业在面对国产设备厂商时，也会尽量压低价格，国产设备仿佛给人留下的印象就是低价。

对此，盛美半导体董事长兼CEO王晖指出，半导体设备制造是一个门槛很高的行业，不仅技术高度密集，厂商需要掌握严密的IP，而且产品售出之后还有大量后续服务需要做好。

如果售价被压得过低，势必会大幅压低设备企业的利润空间。短期内用户企业虽然可能获利，但是势必会影响到后续服务的进行。而且，设备行业的竞争十分激烈，企业必须保证对每一代技术的持续跟进，才能保持技术的领先性。这就需要企业持续进行投入。然而，如果获利过低，将导致企业无力跟进技术的进步。

王晖认为，对于国产设备业者来说，最佳的解决之道就是做产品的差异化技术开发，而不是仅凭低价格来争取订单。

“面对同一个应用，同一个技术挑战，你要比大公司做得好，就要寻求差异化的解决方法，否则很难超过大公司。”他说。

在王晖看来，从技术创新的角度，小公司未必会输给大公司。反而因为小公司具备灵活性及高效率，更容易做出突破性的技术。以点带面，从点上取得突破，方是国产设备企业长期持续的成长之道。 中国电子报

6.莫大康：加强研发要水到渠成，培育若干个“中芯国际”

中国半导体业发展只有加强自已的研发，并取得成功，才能在市场经济中立足，生存下来。道理是浅显明白，然而加强研发是一条漫长，而又艰辛的路，并认为在中国的制度创新尚未完全到位，试图技术创新取得成功是有一定困难。

加强研发投入涉及两个方面的问题：

一个它是成本开支中的重要一项，通常如果企业的盈利能力不够，它是很难会被重视，每个企业保生存是第一位。

另外，因为研发投入通常是个长周期项目，所谓“前人栽树，后人乘凉”，加上研发是个“未知数”，成功率不高，因此唯有具长远眼光的优秀领导者才能有宽阔的胸怀，愿意去加强研发。再从运行制度上分析，唯有与企业股权结构能相关联的领导者才有内在的动力去做加强研发；另外一个因素是加强研发除了要投钱之外，尚需资源，人力等相关条件的匹配，企业要有内在强劲的动力要求进步。所以通常情况下，企业越是强大，它的目标性更为明确，它的研发投入自然会加大。反之，企业即便是资金富裕，也不见得愿意投资研发，因为研发投资是化钱，它的关键是成效。另外，现阶段中国国有企业的领导者采用“任期制”也是一个制约因素。

归纳起来，尽管加强研发对于企业是个根基，必由之路，但是由于周期长，未知因素多，执行起来不易，可能需要从体制等方面从根本上作进一步的改革。

中国半导体产业的生存环境有喜也有忧

首先要正确评估现阶段中国半导体业的生存环境，好的方面是国家对于半导体业发展列为国策之一，足够的重视，自2014年大基金等推出以来产业己经有长足的进步，及产业链全方位的有所提升。事物总有它的“两重性”，同时要充分认识到产业发展的外部环境可能越来越不利，主要表现在：

1），以美国为首的西方阵营对于中国半导体业发展的任何动作，反应过度，基本上从它们的非理性角度来思考，处处带有敌意。近期中芯国际董事长周子学在江阴封装年会上再次呼吁欧美等国在国际半导体企业间合作中要增加透明度和明确规则。

2），在先进工艺制程方面，我们的竞争对手跑得实在太快，差距已拉大至三代以上。如台积电，三星，格罗方徳，它们的7纳米代工2018年量产。如台积电的第一代7nm芯片预计将会于2017年第二季度进入试产阶段，今年晚些时候可能推出样片。而大规模的进行生产则需要等到2018年第二季度。此外，台积电第二代7nm工艺(CLN7FF+)预计将于2018年第二季度进行试产，2019年下半年能够量产面市。

3），在成熟制程与研发等方面，它们纷纷采用合资，或者转让技术等方法，让企业穿上中方的“马甲”，达到继续控制中国市场的目的，同时也起到麻痹中方自行研发斗志的作用。

“先进技术是用钱买不到，用市场换不来”，唯有加强研发才是出路。

西方采用“胡萝卜加大棒”策略，它们的底线是正如近期展讯的CEO李力游讲，“目前美国对中国禁运的部分芯片设计技术包括：CPU/GPU、毫米波、电源管理、高速I/O、AD/DA、DSP，类似于这种东西在美国是不允许向中国出口的。但是x86芯片的制造可以拿到中国来生产，但是X86的设计本身绝对不能拿到中国来。”

因此对于西方在任何时候不要天真地抱有幻想，一切先进技术，只有依靠自己的研发，尽管可能不快，但也要昂首挺进，这是时代赋予我们的责任。

另外无论兼并，或者合作，合资项目都有它们的“两重性”，有利方面是能迅速的提升我们的启点，但是也存在风险。兼并的风险在于之后的“融合”困难，全球平均的成功率不会超过20%。而对于合作，合资项目，风险是双方的利益搏奕，它们用先进技术作为“诱耳”，达到既继续控制中国市场的目的，同时又与国内同类企业争夺市场，实现“一箭双雕”的目的。所以建议中国方面对于半导体业中的合资项目也要有如美国CFIUS那样的严格审查制度。

必须十分清醒，中国半导体业发展不可能有“捷径”，对于现阶段产业发展的“两重性”要有清醒的认识及对策，首先不能依赖它，要有自已的方向，其次必须从中迅速的提升自身的竞争实力。所以中国半导体业发展要更加倍的努力，齐心协力，把压力转化为动力，坚持下去，毫不动摇，直到达到目标为止。

加强研发要水到渠成

加强研发不是一句简单的口号，它与企业的强盛紧密的联系在一起。核心是企业一定要有强劲的內在需求，及竞争的压力，包括每个个人在内。显然研发一定要有相应的外部环境来保证，如人才，公平竞争，对于知识产权的保护，相应的激励措施，包括有一个容许失败的氛围等。

总体上对于中国半导体业而言，在加强研发方面，由于企业处于不同的发展阶段，它们之间的差异性是十分明显的。可以认为加强研发的程度是企业强弱的“睛雨表”之一，如2016年全球半导体企业的研发投入排名中，英特尔，高通，博通，台积电，NXP等都是处于前列，而其中的第10位sk Hynix公司，它的年投研发资金达15亿美元，所以中国的半导体企业尚无法比照。

现阶段中国半导体业发展还是聚焦于企业的做强，做大，缩小差距，提高盈利能力，尤其是骨干企业的大幅进步，从根本上要迅速提升企业的竞争实力，增强企业对于研发的內在的刚性需求。另外，从政府层面要进一步加快完善产业的发展大环境，以及加强人才的聚集与培养，没有优秀的人才来谈加强研发等于是一句空话。

因此，迅速培育若干个如中芯国际等，年销售额达到30亿美元以上，并有盈利的骨干企业，并且加强研发，培育人才等才是当务之急。