1.SK Hynix有望获得东芝存储器33%股权？INCJ：签约时间未定；

集微网综合报道，据华尔街日报知情人士透露，在东芝公司将出售旗下半导体业务东芝存储器的出售计划中，包含 SK Hynix 拥有最高可取得33%股权的选择权（option），而东芝在对外发表的声明中从未提到过该选择权，SK 若成为日本官民基金“产业革新机构”（INCJ）以外的大股东的话，相信势必引来西部数据更大的反对。

东芝于6月21日决定由 INCJ、美国投资基金以及韩国 SK Hynix 等所筹组的“日美韩联盟”为半导体事业子公司“东芝存储器”（Toshiba Memory Corporation）的优先交涉对象后，原先是计划要在 6 月 28 日举行定期股东会之前和日美韩联盟签订正式契约。

不过该签约计划落空，东芝于 6 月 28 日表示，因和联盟内多个当事者之间的调整仍需时间，因此现阶段尚未达成共识。INCJ 出面指出，和东芝签订契约的时间将延迟，且目前尚无法说出何时能签约。

INCJ 会长志贺俊之于 6 月 30 日表示，“和东芝达成最终共识的时间延迟是因为被选为优先交涉对象后，东芝所提供的资料数量庞大，精查资料内容费时，加上联盟内部调整也需时间。并不是因为发生什么问题，导致协商中止”。

至于何时将签订正式契约，志贺俊之表示，“只能说正尽力去做，但现阶段无法明确说出具体时间”。

关于东芝和合作伙伴西部数据（WD）走上诉讼一事，志贺俊之表示，“诉讼问题若不能朝良性方向迈进的话，恐会非常难于往前走。不要互告，希望能以建设性的对话来解决”。上述言论也显示，想要 INCJ 出资，东芝、WD 解除对立是不可或缺的。

关于 WD 所提起的“禁止出售东芝存储器”诉讼一事，据悉东芝和日美韩联盟之间的意见纷歧。关系人士指出，联盟端是计划在东芝/WD 纷争解除前不会收购东芝存储器；不过，对此，东芝则要求能取消上述条件。

另外，关于市场传出苹果、邮储银行（Japan Post Bank）可能将加入日美韩联盟一事，志贺俊之指出，“现阶段苹果/邮储银行并未加入日美韩联盟，不过不排除今后会变更日美韩联盟框架、或是有新成员加入的可能性”。

据参与交易的人透露，INCJ 和完全由政府所有的日本政策投资银行(Development Bank of Japan)计划收购东芝这家子公司 66%的股权，剩下的股权将由美国私募股权公司贝恩资本(Bain Capital)获得。贝恩资本与海力士半导体的合同将使 SK Hynix 可以在晚些时候收购最初由贝恩资本持有的部分、甚至全部股权。

关于 SK Hynix 以后是否有可能会取得东芝存储器经营权一事，志贺俊之表示，“SK 是以融资的形式参与，现阶段不是以取得议决权为前提参与”。

2.华尔街日报:海力士可能获得东芝芯片股权 与东芝说法相左；

知情人士透露，东芝公司(Toshiba Co., 6502.TO, TOSYY)出售旗下半导体业务的方案包括一个选择权，使得韩国芯片生产商海力士半导体(SK Hynix Inc.)最终可获得这部分业务的少数股权，而这与东芝的公开声明有出入。

海力士半导体获得这部分业务部分股权的可能性有可能会令西部数据(Western Digital Corp., WDC)更加反对上述出售交易。目前西部数据持有东芝半导体业务部分股份，并且与海力士半导体是竞争对手。西部数据已经提起诉讼，试图阻止该交易。

这一安排似乎也与日本政府官员有关避免敏感技术泄露给外国竞争对手的想法背道而驰。

东芝表示，接近与获得政府支持的产业革新机构(Innovation Network Corp. of Japan)牵头的一个财团达成协议，作价约180亿美元出售其半导体业务。这部分业务生产NAND闪存芯片，被誉为东芝“皇冠上的明珠”。

参与该交易的人士称，产业革新机构和完全由政府所有的日本政策投资银行(Development Bank of Japan)计划收购东芝这家子公司66%的股权，剩下的股权将由美国私募股权公司贝恩资本(Bain Capital)获得。

这些人表示，贝恩资本与海力士半导体的合同将使海力士半导体可以在晚些时候收购最初由贝恩资本持有的部分、甚至全部股权。

东芝公司关于上述财团的公开文件中并未包括海力士半导体的名字，但东芝公司首席执行长纲川智(Satoshi Tsunakawa)已将海力士半导体描述为只为交易提供融资。

纲川智在6月23日的新闻发布会上表示，不会出现任何技术泄密情况，因为海力士半导体不会在这家芯片子公司中拥有任何投票权。

一名东芝公司的发言人表示，他无法就拟议中的出售细节置评，也表示纲川智无法发表评论。

参与交易的一名人士在解释海力士半导体的角色时表示，海力士半导体并不是通过出借资金来获利的银行。

产业革新机构和日本政策投资银行未予置评。海力士半导体的一名发言人未就该公司是否寻求收购东芝股权置评。

此前，对于海力士半导体是该财团成员之一，西部数据已表示担忧。

西部数据首席执行长Steve Milligan在6月25日写给东芝的信件中称，海力士半导体的参与加大了技术泄漏、伤害该合资公司的可能性。媒体见到了这份信件的内容。

日本经济产业省的一名发言人表示，该部门无法立即置评。

知情人士称，产业革新机构未能吸引到日本电子公司参与，随后海力士半导体被邀请加入该财团。知情人士称，由于要提高收购报价，财团需要海力士半导体加入。

海力士半导体获得东芝芯片业务部分股权的可能性还可能催生反垄断风险，这将阻碍该交易的进程。知情人士称，西部数据曾提议收购东芝芯片业务，但遭到东芝拒绝，部分原因是东芝担心监管部门、尤其是中国监管部门会以反垄断理由阻止交易。

 华尔街日报

3.韩媒质疑东芝发布96层3D NAND新闻时机；

集微网消息，全球第2大NAND型闪存厂东芝6月28日宣布，携手SanDisk研发出全球首款采用堆栈96层制程技术的3D NAND Flash产品，且已完成试作、确认基本动作。 该款堆栈96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板和存储卡等市场。

韩媒BusinessKorea 3日报导，东芝和西部数据为了东芝内存出售案，搞到撕破脸互告。 韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售内存求现，避免因为资本减损下市，怀疑东芝是否有能力投入庞大资金、进行研发。

相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热内存业务买气。 此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。 他们表示，东芝在这个时间点放出该新闻相当可疑。

报导称，其实三星也已研发出96层3D NAND，但是考虑到产品越先进，量产越困难，因此未对外公布，要先等到全面量产再说。 文章力挺三星，指出就算堆栈层数相同，视各家公司技术和制造方法不同，表现仍有差异，因此堆栈层数变多，不能保证效能一定变好。

东芝目前已量产堆栈64层的3D NAND产品，而和64层产品相比，96层3D NAND每单位面积的存储记忆容量扩大至约1.4倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加、每bit成本也下滑。

4.制程良率影响产能提升，美光看好DRAM价格维持高档；

美光2017年第3季财报营收大幅优于预期，这要因DRAM、NAND Flash价格上涨，美光认为存储器产业需求稳定，价格可稳定维持至2018年下半年。法人表示，国内相关个股中，华邦电目前DRAM产能约22K，估下半年 DRAM价格维持高档，2018年上半年在供给改善后将趋缓，因此维持族群中立建议。

永丰投顾表示，今年上半年存储器业务需求强劲，DRAM报价从去年第3季的起涨点已累积约40%的涨幅，虽然Gartner预估供给速度还未在第3季追上需求，但下半年报价的涨幅由于各大厂扩产完成使货源逐渐充足，预计DRAM报价应会进入高档震荡的态势，加上各家大厂新的微缩制程将起开始贡献营收后供不应求的状况应可进一步改善，估2018年上半年将会供给将会逐渐补上需求，价格涨幅将会趋缓。

群益投顾表示，智能手机或笔电开始进入出货高峰，再加Mobile DRAM产出扩大至整体DRAM产出的40%以上，排挤效应下，目前标准型DRAM产出仅剩 20%，追价与追量的情况将使存储器报价续涨。

此波的抢货作战，产生连锁效应，如Sever DRAM也呈现上涨的趋势，DRAM和NAND Flash产品同时缺货，近期存储器报价受到供给减少和需求增加而成长，Micron认为DRAM和NAND Flash产出因制程转进困难和良率提升不易，市场供给将会减少， 加上进入旺季，存储器报价皆会上扬，惟相关个股已反应存储器上涨，且到目标价，因此投资建议为中立。

经济日报

5.ReRAM即将跨入3D时代？

莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…

可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的“通用”存储器，不仅提供了随机存取存储器(RAM)的速度，又兼具快闪存储器(flash)的密度与非挥发性。然而目前，flash由于抢先进入3D时代而较ReRAM更胜一筹。

如今，莫斯科物理技术学院(Moscow Institute of Physics and Technology；MIPT)的研究人员已成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术。

ReRAM的研发一般采用忆阻器进行，其中，在介电层中迁移的氧空缺(oxygen vacancy)，将电介质的电阻改变为‘1’与‘0’。除了MIPT，还有来自4DS Memory Ltd.、Crossbar Inc.、HP Inc.、Knowm Inc.以及美国德州莱斯大学(Rice University)的研究人员们也为ReRAM创造了原型。

针对3D ReRAM，MIPT科学家Konstantin Egorov表示，“我们不仅需要在介电层中形成氧空缺，还必须为其进行检测”。为此，MIPT的研究人员们采用的方法是，在出现氧空缺的介电层中，观察其能隙中的电子状态

Egorov说：“为了研究在氧化钽薄膜生长过程中形成的氧空缺，我们使用了一种整合生长PEALD[电浆辅助原子层沉积]和分析XPS(X射线光电子能谱仪)腔室(以真空管相互连接)的实验丛集。该丛集让我们能生长和研究沉积层，而不至于破坏真空状态。”

他强调，“这一点非常重要，因为一旦从真空中取出实验样本，介电质的纳米层就会在其表面上氧化，导致氧空缺的消失。”

用于生长和研究薄膜的实验丛集，可在真空状态下实现3D堆叠 

任何半导体研究实验室都可以建构这种独特的原子层沉积(ALD)丛集，其方式是连接PEALD和XPS腔室，然后再添加自动操纵器，在腔室之间传输晶圆。除了样本测试晶圆以外，在大量生产时并不需要这种丛集。然而，必须建立一条的的组装线，以补偿ALD薄膜缓慢的生长速度。

如果这些研究取得成功，MIPT声称所产生的ReRAM就可以垂直堆叠，成就一种可克服3D flash限制的通用存储器；目前，3D flash仅限于64层。

与沉积氧空缺氧化钽薄膜有关的化学反应阶段(左)，以及透过X射线光电子能谱仪进行分析的结果(右)。 （来源：MIPT）

虽然ALD的生长缓慢，但它能实现3D结构的共形涂层，取代MIPT和其他研究实验室迄今所使用的纳米薄膜沉积技术。其关键的区别在于ALD依次将基底暴露于前体材料和反应物材料，并且取决于二者之间的化学反应以产生主动层。MIPT的技术还使用连接至金属前体的化学分子配体，以便加速化学反应，但在用于元件的主动层之前必须先移除这种配体。

MIPT首席研究员Andrey Markeev说：“沉积缺氧薄膜需要找到正确的反应物，才能移除金属前体中所含的配体，并且控制涂层的氧含量。因此，在经过多次实验后，我们成功地使用含氧的钽前体，以及电浆激发的氢反应物。”

MIPT研究人员Dmitry Kuzmichev、Konstantin Egorov、Andrey Markeev和Yury Lebedinskiy，及其背后的原子层沉积机器。

接下来，研究人员打算为这一流程进行最佳化，并提高ALD的速度，从而为3D ReRAM实现大量生产。